半導体微細化の命運を握る：High NA EUV対応「MOR」で日本勢がフォトレジスト支配を固める

フォトレジスト、先端半導体の命運握る：High NA EUV対応「MOR」が主役に、日本勢の戦略的投資が加速

2025年12月3日

生成AI市場の爆発的な拡大を背景に、半導体の微細化競争はかつてない速度で進んでいる。この最前線において、不可欠な戦略物資として注目を集めているのが、日本企業が世界市場の約9割を支配する感光性材料、フォトレジストだ。特に極端紫外線（EUV）露光技術に対応する次世代フォトレジストの開発は、2nmノード以下の高性能チップ生産の成否を握る鍵となっている。

High NA EUV時代到来と新素材「MOR」へのシフト

半導体製造の心臓部である露光工程は、現在、大きな技術転換期を迎えている。2025年、ASML社製の「High NA（高開口数）EUV露光装置」が本格的に量産導入される見通しだ。この新装置は、従来のNA=0.33から0.55へと開口数を拡大し、解像度を約1.7倍に向上させる。これにより、高性能チップのパターン形成における多重露光が不要となり、微細化とコスト削減の両立が期待されている。

しかし、High NA EUVの導入は、従来の化学増幅型レジスト（CAR）の限界を露呈させた。そこで、次世代の主役に躍り出たのが「MOR（金属酸化物レジスト）」である。

MORは、EUV光の吸収率や、エッチング耐性が高く、極めて微細なパターン形成に適している。日本の材料メーカーは、このMORの実現に向け、金属錯体技術を応用した開発競争を加速させている。ADEKA（アデカ）は2025年10月、MOR用金属化合物の新プラントを建設するなど、次世代フォトレジスト材料への投資を積極化している。この技術革新は、HBM（高帯域メモリ）や最先端ロジック半導体のさらなる半導体微細化を可能にする不可欠な要素とされる。

EUVフォトレジスト市場は、2024年時点で3億1400万米ドル規模だが、2031年には14億900万米ドルへ、年平均成長率（CAGR）23.8%で急成長すると予測されており、材料ベンダーの技術力が、世界の半導体競争力を左右する構図が鮮明になっている。

日本勢の圧倒的支配とグローバル生産体制の強化

フォトレジスト市場における日本勢の存在感は圧倒的だ。東京応化工業、JSR、信越化学、住友化学、富士フイルムなどの主要企業が世界シェアの約90%を占める。特に東京応化工業は、EUVフォトレジストを含む全体市場で世界シェア約25%を確保し、トップランナーとして君臨している。

この技術的優位性を背景に、日本企業は世界的な需要急増とサプライチェーンの安定化を図るため、大規模な設備投資を加速させている。

東京応化工業は、韓国子会社を通じて平澤に新工場（2拠点目）を建設し、現地需要への対応力を強化。住友化学も、大阪工場で先端フォトレジストの評価設備を拡充するほか、韓国や米国での製造ライン増設にここ数年で1,000億円規模を投じる。また、富士フイルムも2025～2026年度の2年間で1,000億円以上を設備投資と研究開発に投入するなど、各社が国内の技術開発基盤を固めつつ、アジア主要市場での生産拠点分散を進めている。

経済安全保障上の「特定重要物資」

フォトレジストは、その圧倒的な技術的優位性ゆえに、地政学的リスクが高まる現代において、経済安全保障上の「特定重要物資」として位置づけられている。

日本政府は、半導体・デジタル産業戦略を推進する中で、フォトレジスト技術の流出防止を喫緊の課題としている。外為法に基づく輸出管理は厳格化され、特にAIや半導体関連技術の海外移転については、事前報告制度や官民対話スキームが構築されている。

2019年の対韓輸出管理強化の経緯からも明らかなように、フォトレジストの供給体制は国際的な貿易摩擦の火種となり得る。そのため、日本企業は技術優位性を維持しつつ、国際的な安定供給責任を果たすという、難しい舵取りを迫られている。

結論：材料ベンダーの挑戦が未来を拓く

フォトレジストの純度、分子設計、そして微細な異物や金属不純物の検査技術の高度化は、半導体製造の歩留まりに直結する。今後、High NA EUVとMORの組み合わせにより、2nmノードの次世代チップ生産が加速する中で、日本のフォトレジスト材料ベンダーの技術革新こそが、世界のデジタルインフラと半導体微細化の未来を拓く鍵となるだろう。国際競争力を維持するためにも、政府と産業界の連携による技術基盤の強化が引き続き求められる。